Direct Growth of Wafer‐Scale Self‐Separated GaN on Reusable 2D Material Substrates

Abstract Free‐standing gallium nitride has been prepared using various methods; however, the removal of the original substrate is still challenging with low success rates. In this work, 2‐inch free‐standing GaN films are obtained by direct growth on a fluoro phlogopite mica by hydride vapor‐phase ep...

Ամբողջական նկարագրություն

Մատենագիտական մանրամասներ

Հիմնական հեղինակներ:	Chang‐Hsun Huang, Chia‐Yi Wu, Yi‐Chia Chou
Ձևաչափ:	Artigo
Լեզու:	Inglês
Հրապարակվել է:	Wiley 2024-11-01
Շարք:	Advanced Science
Խորագրեր:	gallium nitride hydride vapor‐phase epitaxy self‐separation 2D materials van der Waals epitaxy
Առցանց հասանելիություն:	https://doi.org/10.1002/advs.202406126
Ցուցիչներ:	Ավելացրեք ցուցիչ Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!