Effect of Grain Boundary Protrusion on Electrical Performance of Low Temperature Polycrystalline Silicon Thin Film Transistors
We studied the impact of grain boundary (GB) protrusion on the electrical properties of low temperature polycrystalline silicon thin film transistors. The analysis of atomic force microscopy and transmission electron microscopy images indicate the grain size of ~350 nm and a protrusion height of ~35...
Збережено в:
| Автори: | , , , , , , |
|---|---|
| Формат: | Artigo |
| Мова: | Inglês |
| Опубліковано: |
IEEE
2019-01-01
|
| Серія: | IEEE Journal of the Electron Devices Society |
| Предмети: | |
| Онлайн доступ: | https://ieeexplore.ieee.org/document/8695046/ |
| Теги: |
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|