Scaling Down Effect on Low Frequency Noise in Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors
Scaling down effects on conduction and low frequency noise characteristics are investigated in a set of p-type polycrystalline silicon thin-film transistors (poly-Si TFTs) with fixed channel width (<inline-formula> <tex-math notation="LaTeX">$W=8 \mu$ </tex-math></inline-formula> m) and different ch...
Збережено в:
| Автори: | , , , , , , |
|---|---|
| Формат: | Artigo |
| Мова: | Inglês |
| Опубліковано: |
IEEE
2019-01-01
|
| Серія: | IEEE Journal of the Electron Devices Society |
| Предмети: | |
| Онлайн доступ: | https://ieeexplore.ieee.org/document/8600311/ |
| Теги: |
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|