Scaling Down Effect on Low Frequency Noise in Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors

Scaling down effects on conduction and low frequency noise characteristics are investigated in a set of p-type polycrystalline silicon thin-film transistors (poly-Si TFTs) with fixed channel width (<inline-formula> <tex-math notation="LaTeX">$W=8 \mu$ </tex-math></inline-formula> m) and different ch...

Полное описание

Библиографические подробности

Главные авторы:	Yuan Liu, Shu-Ting Cai, Chao-Yang Han, Ya-Yi Chen, Li Wang, Xiao-Ming Xiong, Rongsheng Chen
Формат:	Artigo
Язык:	Inglês
Опубликовано:	IEEE 2019-01-01
Серии:	IEEE Journal of the Electron Devices Society
Предметы:	Polycrystalline silicon thin film transistor low frequency noise channel length
Online-ссылка:	https://ieeexplore.ieee.org/document/8600311/
Метки:	Добавить метку Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!