Advanced Modeling and Simulation of Multilayer Spin–Transfer Torque Magnetoresistive Random Access Memory with Interface Exchange Coupling

In advancing the study of magnetization dynamics in STT-MRAM devices, we employ the spin drift–diffusion model to address the back-hopping effect. This issue manifests as unwanted switching either in the composite free layer or in the reference layer in synthetic antiferromagnets—a challenge that be...

Szczegółowa specyfikacja

Opis bibliograficzny

Główni autorzy:	Mario Bendra, Roberto Lacerda de Orio, Siegfried Selberherr, Wolfgang Goes, Viktor Sverdlov
Format:	Artigo
Język:	Inglês
Wydane:	MDPI AG 2024-04-01
Seria:	Micromachines
Hasła przedmiotowe:	spintronic devices back-hopping spin–transfer torques interlayer exchange coupling micromagnetics MRAM
Dostęp online:	https://www.mdpi.com/2072-666X/15/5/568
Etykiety:	Dodaj etykietę Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!