Advanced Modeling and Simulation of Multilayer Spin–Transfer Torque Magnetoresistive Random Access Memory with Interface Exchange Coupling

In advancing the study of magnetization dynamics in STT-MRAM devices, we employ the spin drift–diffusion model to address the back-hopping effect. This issue manifests as unwanted switching either in the composite free layer or in the reference layer in synthetic antiferromagnets—a challenge that be...

وصف كامل

التفاصيل البيبلوغرافية

المؤلفون الرئيسيون:	Mario Bendra, Roberto Lacerda de Orio, Siegfried Selberherr, Wolfgang Goes, Viktor Sverdlov
التنسيق:	Artigo
اللغة:	Inglês
منشور في:	MDPI AG 2024-04-01
سلاسل:	Micromachines
الموضوعات:	spintronic devices back-hopping spin–transfer torques interlayer exchange coupling micromagnetics MRAM
الوصول للمادة أونلاين:	https://www.mdpi.com/2072-666X/15/5/568
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!