A low switching loss GaN trench MOSFET design utilizing a triple-shield structure
Abstract An innovative GaN trench MOSFET featuring an ultra-low gate-drain charge (Q gd ) is proposed, with its operational mechanisms thoroughly investigated using TCAD simulations. This novel MOSFET design introduces a triple-shield structure (BPSG-MOS) comprising three critical components: (1) a...
Na minha lista:
| Principais autores: | , |
|---|---|
| Formato: | Artigo |
| Idioma: | Inglês |
| Publicado em: |
Nature Portfolio
2025-01-01
|
| coleção: | Scientific Reports |
| Assuntos: | |
| Acesso em linha: | https://doi.org/10.1038/s41598-024-84007-w |
| Tags: |
Sem tags, seja o primeiro a adicionar uma tag!
|