On the origin of off-state leakage current in n-p-n vertical structures for GaN-based trench-MOSFETs

In this work, we present the results of research on the off-current mechanism in vertical trench MOS devices manufactured on an ammonothermal substrate. Transistors and npn diode test structures were characterized electrically as well as by SEM and by AFM, which results compared to CAD simulations....

Ամբողջական նկարագրություն

Մատենագիտական մանրամասներ

Հիմնական հեղինակներ:	Maciej Kamiński, Kamil Abendroth, Aneta Gołębiowska, Aleksander Szczepański, Krzysztof Urbanowski, Ernest Brzozowski, Jarosław Tarenko, Oskar Sadowski, Justyna Wierzbicka, Renata Kruszka, Kamil Kosiel, Joanna Jankowska-Śliwińska, Iwona Jóźwik, Anna Szerling, Krystian Król, Paweł Prystawko, Michał Boćkowski, Izabella Grzegory, Andrzej Taube
Ձևաչափ:	Artigo
Լեզու:	Inglês
Հրապարակվել է:	Elsevier 2025-06-01
Շարք:	Power Electronic Devices and Components
Խորագրեր:	Vertical GaN Power devices Trench MOSFET Breakdown voltage Off-current of the GaN transistor
Առցանց հասանելիություն:	http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S2772370425000112
Ցուցիչներ:	Ավելացրեք ցուցիչ Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!