Electrical Effect of Nitrogen Implanted Into LDD of MOSFETs

The motivation of this study was to solve the high <inline-formula> <tex-math notation="LaTeX">$\rm I_{D,off}$ </tex-math></inline-formula> problem in 8 Volt N-channel MOSFET. We experimented with implanting nitrogen into LDD at various doses. As a result, <inline-formula> <tex-math notation="LaTeX"...

Бүрэн тодорхойлолт

Номзүйн дэлгэрэнгүй

Үндсэн зохиолчид:	Yoo Seon Song, Markus Lenski, Mohammed F. Karim, Keith Flynn, Jan Hoentschel, Carsten Peters, Jens-Uwe Sachse, Omur Isil Aydin, Jun Wu, Bastian Hausdorfer, Mahesh Siddabathula, Konrad Semmler, Jurgen Daleiden
Формат:	Artigo
Хэл сонгох:	Inglês
Хэвлэсэн:	IEEE 2024-01-01
Цуврал:	IEEE Journal of the Electron Devices Society
Нөхцлүүд:	Arsenic BVDSS DIBL GIDL ID,off ID,sat
Онлайн хандалт:	https://ieeexplore.ieee.org/document/10634165/
Шошгууд:	Шошго нэмэх Шошго байхгүй, Энэхүү баримтыг шошголох эхний хүн болох!