Electrical Effect of Nitrogen Implanted Into LDD of MOSFETs
The motivation of this study was to solve the high <inline-formula> <tex-math notation="LaTeX">$\rm I_{D,off}$ </tex-math></inline-formula> problem in 8 Volt N-channel MOSFET. We experimented with implanting nitrogen into LDD at various doses. As a result, <inline-formula> <tex-math notation="LaTeX"...
Đã lưu trong:
| Những tác giả chính: | , , , , , , , , , , , , |
|---|---|
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
IEEE
2024-01-01
|
| Loạt: | IEEE Journal of the Electron Devices Society |
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://ieeexplore.ieee.org/document/10634165/ |
| Các nhãn: |
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|