Comprehensive Evaluation of Junctionless and Inversion-Mode Nanowire MOSFETs Performance at High Temperatures

This work aims to perform a comprehensive comparison of the electrical properties of junctionless and inversion-mode nanowires MOSFETS, fabricated with similar gate stack and state-of-art process, in the temperature range from 300 K to 580 K. The comparative analysis is performed through the main el...

Ամբողջական նկարագրություն

Մատենագիտական մանրամասներ

Հիմնական հեղինակներ:	Rhaycen R. Prates, Sylvain Barraud, Mikael Casse, Maud Vinet, Olivier Faynot, Marcelo A. Pavanello
Ձևաչափ:	Artigo
Լեզու:	Inglês
Հրապարակվել է:	IEEE 2024-01-01
Շարք:	IEEE Journal of the Electron Devices Society
Խորագրեր:	Electrical characterization high temperature inversion-mode junctionless
Առցանց հասանելիություն:	https://ieeexplore.ieee.org/document/10549873/
Ցուցիչներ:	Ավելացրեք ցուցիչ Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!