Critical modeling issues of SiGe semiconductor devices
We present the state-of-the-art in simulation of silicon-germanium (SiGe) semiconductor devices. The work includes a detailed comparison of device simulators and current transport models. Among the critical modeling issues addressed in the paper, special attention is focused on the description of t...
محفوظ في:
| المؤلفون الرئيسيون: | , |
|---|---|
| التنسيق: | Artigo |
| اللغة: | Inglês |
| منشور في: |
National Institute of Telecommunications
2004-03-01
|
| سلاسل: | Journal of Telecommunications and Information Technology |
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://jtit.pl/jtit/article/view/233 |
| الوسوم: |
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|