QR կոդ

Topological material in the III–V family: Heteroepitaxial InBi on InAs

InBi(001) is formed epitaxially on InAs(111)-A by depositing Bi onto an In-rich surface. Angle-resolved photoemission measurements reveal topological electronic surface states, close to the M[over ¯] high symmetry point. This demonstrates a heteroepitaxial system entirely in the III–V family with to...

Ամբողջական նկարագրություն

Պահպանված է:
Հիմնական հեղինակներ: Laurent Nicolaï, Ján Minár, Maria Christine Richter, Olivier Heckmann, Jean-Michel Mariot, Uros Djukic, Johan Adell, Mats Leandersson, Janusz Sadowski, Jürgen Braun, Hubert Ebert, Jonathan D. Denlinger, Ivana Vobornik, Jun Fujii, Pavol Šutta, Gavin R. Bell, Martin Gmitra, Karol Hricovini
Ձևաչափ: Artigo
Լեզու:Inglês
Հրապարակվել է: American Physical Society 2024-11-01
Շարք:Physical Review Research
Առցանց հասանելիություն:http://doi.org/10.1103/PhysRevResearch.6.043116
Ցուցիչներ: Ավելացրեք ցուցիչ
Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!

Նմանատիպ նյութեր