Epitaxial Growth Control of Crystalline Morphology and Electronic Transport in InSb Nanowires: Competition Between Axial and Radial Growth Modes

This study investigates the morphological evolution of epitaxial indium antimonide (InSb) nanowires (NWs) grown via chemical vapor deposition (CVD). We systematically explored the influence of key growth parameters—temperature (300 °C to 480 °C), source material composition, gold (Au) nanoparticle c...

وصف كامل

التفاصيل البيبلوغرافية

المؤلفون الرئيسيون:	Jiebin Zhong, Jian Lin, Miroslav Penchev, Mihrimah Ozkan, Cengiz S. Ozkan
التنسيق:	Artigo
اللغة:	Inglês
منشور في:	MDPI AG 2025-09-01
سلاسل:	Nanomaterials
الموضوعات:	InSb nanowires epitaxy III-V semiconductors chemical vapor deposition HRTEM FET
الوصول للمادة أونلاين:	https://www.mdpi.com/2079-4991/15/18/1436
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!