QR Code (код быстрого отклика)

Topological material in the III–V family: Heteroepitaxial InBi on InAs

InBi(001) is formed epitaxially on InAs(111)-A by depositing Bi onto an In-rich surface. Angle-resolved photoemission measurements reveal topological electronic surface states, close to the M[over ¯] high symmetry point. This demonstrates a heteroepitaxial system entirely in the III–V family with to...

Полное описание

Сохранить в:
Главные авторы: Laurent Nicolaï, Ján Minár, Maria Christine Richter, Olivier Heckmann, Jean-Michel Mariot, Uros Djukic, Johan Adell, Mats Leandersson, Janusz Sadowski, Jürgen Braun, Hubert Ebert, Jonathan D. Denlinger, Ivana Vobornik, Jun Fujii, Pavol Šutta, Gavin R. Bell, Martin Gmitra, Karol Hricovini
Формат: Artigo
Язык:Inglês
Опубликовано: American Physical Society 2024-11-01
Серии:Physical Review Research
Online-ссылка:http://doi.org/10.1103/PhysRevResearch.6.043116
Метки: Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!

Схожие документы