Improving endurance and reliability by optimizing the alternating voltage in Pt/ZnO/TiN RRAM
As the demand for neuromorphic computing technology increases, the need for high-density resistive random access memory (RRAM) to meet data capacity expansion increases. Operating voltages in the DC measurement environment and their impact on RRAM readout process stability and reliability have been...
சேமிக்கப்பட்டது:
| முதன்மை ஆசிரியர்கள்: | , |
|---|---|
| வடிவம்: | Artigo |
| மொழி: | Inglês |
| வெளியிடப்பட்டது: |
Elsevier
2022-08-01
|
| தொடர்: | Results in Physics |
| பொருள்கள்: | |
| ஆன்லைன் அணுகல்: | http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S2211379722004053 |
| குறிச்சொற்கள்: |
டாக்ஸ் இல்லை, இந்த பதிவுக்கு குறிச்சொல் சேர்க்கும் முதல் நபராக இருங்கள்!
|