AlGaN/GaN Metal Oxide Semiconductor High-Electron Mobility Transistors with Annealed TiO₂ as Passivation and Dielectric Layers

This paper reports on improved AlGaN/GaN metal oxide semiconductor high-electron mobility transistors (MOS-HEMTs). TiO₂ is used to form the dielectric and passivation layers. The TiO₂ film is characterized using X-ray photoemission spectroscopy (XPS), Raman spectroscopy, and tr...

முழு விளக்கம்

நூற்பட்டியல் விவரங்கள்

முதன்மை ஆசிரியர்கள்:	Yu-Shyan Lin, Chi-Che Lu
வடிவம்:	Artigo
மொழி:	Inglês
வெளியிடப்பட்டது:	MDPI AG 2023-05-01
தொடர்:	Micromachines
பொருள்கள்:	MOS-HEMT AlGaN GaN silicon substrate TiO<sub>2</sub> passivation
ஆன்லைன் அணுகல்:	https://www.mdpi.com/2072-666X/14/6/1183
குறிச்சொற்கள்:	குறிச்சொல்லை சேர்க்கவும் டாக்‌ஸ் இல்லை, இந்த பதிவுக்கு குறிச்சொல் சேர்க்கும் முதல் நபராக இருங்கள்!