AlGaN/GaN Metal Oxide Semiconductor High-Electron Mobility Transistors with Annealed TiO₂ as Passivation and Dielectric Layers

This paper reports on improved AlGaN/GaN metal oxide semiconductor high-electron mobility transistors (MOS-HEMTs). TiO₂ is used to form the dielectric and passivation layers. The TiO₂ film is characterized using X-ray photoemission spectroscopy (XPS), Raman spectroscopy, and tr...

Повний опис

Бібліографічні деталі

Автори:	Yu-Shyan Lin, Chi-Che Lu
Формат:	Artigo
Мова:	Inglês
Опубліковано:	MDPI AG 2023-05-01
Серія:	Micromachines
Предмети:	MOS-HEMT AlGaN GaN silicon substrate TiO<sub>2</sub> passivation
Онлайн доступ:	https://www.mdpi.com/2072-666X/14/6/1183
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!