The Research of Drain Induced Barrier Lower Effect for SOI Strained Silicon Schottky Source/Drain MOSFET with High-k Gate Dielectric

The SOI strained silicon schottky source/drain MOSFET with high-k gate dielectric is a potential device realizing small size MOSFET, which combines the advantages of strained silicon engineering, high-k gate dielectric, SOI structure and schottky source/drain. A model for the structure is proposed b...

Повний опис

Бібліографічні деталі

Автори:	XU Li-Jun, ZHANG He-Ming, YANG Jin-Yong
Формат:	Artigo
Мова:	Inglês
Опубліковано:	Editorial Department of Journal of Sichuan University (Natural Science Edition) 2017-01-01
Серія:	四川大学学报. 自然科学版
Предмети:	MOSFET drain induced barrier lower strained silicon high-k gate dielectric SOI schottky
Онлайн доступ:	http://science.scu.edu.cn/thesisDetails?columnId=45827707&Fpath=home&index=0
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!