The influence of annealing (900◦C) of ultra-thin PECVD silicon oxynitride layers
This work reports on changes in the properties of ultra-thin PECVD silicon oxynitride layers after high- temperature treatment. Possible changes in the structure, composition and electrophysical properties were investigated by means of spectroscopic ellipsometry, XPS, SIMS and electrical characteri...
Պահպանված է:
| Հիմնական հեղինակներ: | , , , , , , , |
|---|---|
| Ձևաչափ: | Artigo |
| Լեզու: | Inglês |
| Հրապարակվել է: |
National Institute of Telecommunications
2023-06-01
|
| Շարք: | Journal of Telecommunications and Information Technology |
| Խորագրեր: | |
| Առցանց հասանելիություն: | https://jtit.pl/jtit/article/view/821 |
| Ցուցիչներ: |
Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!
|