Efectos de los contactos eléctricos en dispositivos de efecto hall cuántico basados en heteroestructuras AlGaAs/GaAs

Con el fin de obtener el patrón de resistencia eléctrica mediante el efecto Hall cuántico se desarrollaron una serie dedispositivos basados en heteroestructuras AlGaAs/GaAs. El diseño, la fabricación de las heteroestructurassemiconductoras y el procesamiento para obtener los dispositivos fueron desa...

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Λεπτομέρειες βιβλιογραφικής εγγραφής

Εκδόθηκε σε:	Superficies y vacío
Κύριοι συγγραφείς:	V. H. Méndez García, Z. Rivera Alvarez, A. Guillén Cervantes, L. Zamora Peredo, J. Huerta, M. López López, F. Hernández
Μορφή:	Artigo
Γλώσσα:	Espanhol
Έκδοση:	Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C. 2004
Θέματα:	Física, Astronomía y Matemáticas
Διαθέσιμο Online:	https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94217406
Ετικέτες:	Προσθήκη ετικέτας Δεν υπάρχουν, Καταχωρήστε ετικέτα πρώτοι!