Efectos de los contactos eléctricos en dispositivos de efecto hall cuántico basados en heteroestructuras AlGaAs/GaAs
Con el fin de obtener el patrón de resistencia eléctrica mediante el efecto Hall cuántico se desarrollaron una serie dedispositivos basados en heteroestructuras AlGaAs/GaAs. El diseño, la fabricación de las heteroestructurassemiconductoras y el procesamiento para obtener los dispositivos fueron desa...
Shranjeno v:
| izdano v: | Superficies y vacío |
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| Principais autores: | , , , , , , |
| Format: | Artigo |
| Jezik: | Espanhol |
| Izdano: |
Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C.
2004
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| Teme: | |
| Online dostop: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94217406 |
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