Efectos de los contactos eléctricos en dispositivos de efecto hall cuántico basados en heteroestructuras AlGaAs/GaAs
Con el fin de obtener el patrón de resistencia eléctrica mediante el efecto Hall cuántico se desarrollaron una serie dedispositivos basados en heteroestructuras AlGaAs/GaAs. El diseño, la fabricación de las heteroestructurassemiconductoras y el procesamiento para obtener los dispositivos fueron desa...
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| প্রকাশিত: | Superficies y vacío |
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| প্রধান লেখক: | , , , , , , |
| বিন্যাস: | Artigo |
| ভাষা: | Espanhol |
| প্রকাশিত: |
Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C.
2004
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| বিষয়গুলি: | |
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