Growth and characterization of Ge1-xSnx alloys grown by magnetron sputter deposition
Single phase Ge1-xSnx alloys have been grown on Ge(100) and GaAs(100) substrates using a R. F. Sputtering system.Using HRXRD on asymmetrical planes in plane and in growth lattice parameters are obtained. A residual strain due to thedifferences in the linear thermal expansion coefficient between the...
محفوظ في:
| الحاوية / القاعدة: | Superficies y vacío |
|---|---|
| المؤلفون الرئيسيون: | , , |
| التنسيق: | Artigo |
| اللغة: | Inglês |
| منشور في: |
Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C.
2003
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94216405 |
| الوسوم: |
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|