Caracterización térmica de capas semiconductoras de AlxGa1-xAs en región de 0.5< x< 0.87

The thermal characterization of Al0.7Ga0.3As alloys grown by liquid phase epitaxy on GaAs substrates, is performed by means of the open photoacustic cell technique. We determine the thermal diffusivity and thermal conductivity by using a model based on the analogy between electrical and thermal resi...

Celý popis

Podrobná bibliografie

Vydáno v:	Superficies y vacío
Hlavní autoři:	J. L. Pichardo, J. G. Mendoza-Alvarez, A. Cruz-Orea, J. J. Alvarado-Gil, G. Torres-Delgado
Médium:	Artigo
Jazyk:	Espanhol
Vydáno:	Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C. 1999
Témata:	Física, Astronomía y Matemáticas
On-line přístup:	https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94211324026
Tagy:	Přidat tag Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!