Growth of thick epitaxial InAs layers by CSVT
InAs epitaxial layers have been grow by Close Spaced Vapor Transport using water vapor as transporting gas. Growth rate is controlled by source, and substrate temperatures and the transporting gas pressure. The growth seems to be proportional to the transporting gas pressure. Growth rates as high as...
সংরক্ষণ করুন:
| প্রকাশিত: | Superficies y vacío |
|---|---|
| প্রধান লেখক: | , , , , , |
| বিন্যাস: | Artigo |
| ভাষা: | Inglês |
| প্রকাশিত: |
Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C.
2001
|
| বিষয়গুলি: | |
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94201313 |
| ট্যাগগুলো: |
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|