On metastable properties of plasma treated amorphous Si:H films

Amorphous hydrogenated silicon (a-Si:H) is well known as a semiconductor with metastable properties. This paper deals with structural and electrical properties of a-Si:H surfaces in virgin state as well as on low-energy ion exposition. Two ion sources were used, namely a monoenergetic ion beam produ...

Celý popis

Uloženo v:
Podrobná bibliografie
Vydáno v:Superficies y vacío
Hlavní autoři: E. Pineík, H. Glesková, S. Mráz, C. Falcony, L. Ortega, R. Brunner, K. Gmucová, J. Müllerová, M. Jergel
Médium: Artigo
Jazyk:Inglês
Vydáno: Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C. 2001
Témata:
Física, Astronomía y Matemáticas
DLTS
Metastability
Very thin oxide
Structural properties
Amorphous semiconductors
On-line přístup:https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94201309
Tagy: Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo otaguje tento záznam!

Podobné jednotky