Photoluminescence study of AlGaAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy with in-situ / ex–situ growth interruptions

The specific properties of quantum wells (QWs) grown by molecular beam epitaxy (MBE) are directly affected by severalaspects, such as non-intentional incorporated impurities, alloy disorder, interface roughness, etc. These aspects stronglydepend on the particular process used during the MBE growth....

সম্পূর্ণ বিবরণ

গ্রন্থ-পঞ্জীর বিবরন

প্রকাশিত:	Superficies y vacío
প্রধান লেখক:	M. López López, P. Acosta Díaz, O. Cano Aguilar, F.L. Castillo Alvarado, M. Meléndez Lira
বিন্যাস:	Artigo
ভাষা:	Inglês
প্রকাশিত:	Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C. 2001
বিষয়গুলি:	Física, Astronomía y Matemáticas
অনলাইন ব্যবহার করুন:	https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94201209
ট্যাগগুলো:	ট্যাগ যুক্ত করুন কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!