Photoluminescence study of AlGaAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy with in-situ / ex–situ growth interruptions

The specific properties of quantum wells (QWs) grown by molecular beam epitaxy (MBE) are directly affected by severalaspects, such as non-intentional incorporated impurities, alloy disorder, interface roughness, etc. These aspects stronglydepend on the particular process used during the MBE growth....

ver descrição completa

Na minha lista:
Detalhes bibliográficos
Publicado no:Superficies y vacío
Main Authors: M. López López, P. Acosta Díaz, O. Cano Aguilar, F.L. Castillo Alvarado, M. Meléndez Lira
Formato: Artigo
Idioma:Inglês
Publicado em: Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C. 2001
Assuntos:
Física, Astronomía y Matemáticas
in
Quantum wells
situ processing
growth interruption
molecular beam epitaxy
Acesso em linha:https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94201209
Tags: Adicionar Tag
Sem tags, seja o primeiro a adicionar uma tag!

Registos relacionados