Ładuje się......
Application of optical scatterometry to microstructure changes of Si1 xGex/Si heterostructures grown by gas source molecular beam epitaxy
The microstructure changes of Si1 xGex/Si heterostructures grown by gas source molecular epitaxy (GSMBE) were investigated by the scatterometer with angle-resolved scattering. Experimental results show that the microstructure changes with different strain distributions in pseudomorphic layers affect...
Zapisane w:
| Wydane w: | Superficies y vacío |
|---|---|
| Główni autorzy: | , , , , , |
| Format: | Artigo |
| Język: | Inglês |
| Wydane: |
Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C.
1999
|
| Hasła przedmiotowe: | |
| Dostęp online: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94200967 |
| Etykiety: |
Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!
|