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Síntesis de TiN y TiC por la técnica de PAPVD arco pulsado

Los recubrimientos de TiN y TiC se depositaron utilizando la técnica de deposición en fase vapor asistido por plasma (PAPVD)-Arco Pulsado, variando la temperatura del sustrato en valores de 85-100-115°C. Los recubrimientos se analizaron por medio de Dispersión de Fotoelectrones de Rayos X (XPS)) y D...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliografische Detailangaben
Veröffentlicht in:Scientia Et Technica
Hauptverfasser: Diego F. Devia-Narvaez, Francisco J. O. Escobar-González, Harold Duque-Sánchez
Format: Artigo
Sprache:Espanhol
Veröffentlicht: Universidad Tecnológica de Pereira 2012
Schlagworte:
Online-Zugang:https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=84925149021
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