Gaussian superlattice in GaAs/GaInNAs solar cells

We present a new type of photovoltaic device where Gaussian superlattice is inserted in the i-region of a GaAs/GaInNAs p-i-n solar cell. A theoretical model is developed to study the performance of these devices. We establish a new criterion to calculate miniband widths in superlattice heterostruct...

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Pubblicato in:Revista Mexicana de Física
Autori principali: C.I. Cabrera, D.A. Contreras-Solorio, L. Hernandez, A. Enciso, J. C. Rimada
Natura: Artigo
Lingua:Inglês
Pubblicazione: Sociedad Mexicana de Física A.C. 2017
Soggetti:
Física, Astronomía y Matemáticas
Modeling
solar cell
superlattice
Accesso online:https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=57050507004
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