Influence of state coupling on the electron transport in shallow quantum wells

Resistivity and magnetotransport of shallow GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells with and without a thin central AlAs barrier or a In0:7Ga0:3Asdeep well have been investigated in the temperature interval 4–300 K and magnetic fields up to 12 T. Transport parameters are strongly af-fected by the insertion o...

Полное описание

Библиографические подробности

Опубликовано в::	Revista Mexicana de Física
Главные авторы:	V.A. Kulbachinskii, I.S. Vasil’evskii, R.A. Lunin, G.B. Galiev, E.N. Eniushkina, V.G. Mokerov
Формат:	Artigo
Язык:	Inglês
Опубликовано:	Sociedad Mexicana de Física A.C. 2007
Предметы:	Física, Astronomía y Matemáticas
Online-ссылка:	https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=57036163012
Метки:	Добавить метку Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!