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Fundamental electronic transition of InGaN cubic quantum wells
In this work we calculate the transition energy from the first level of holes to the first level of electrons (1h−1e)for cubic InxGa1−xN/InyGa1−yN quantum wells. We employ the empirical tight binding approach with an sp3 s ∗ orbital basis, nearest neighbors interactions and the spin-orbit coupling,...
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| Publicado no: | Revista Mexicana de Física |
|---|---|
| Main Authors: | , , , |
| Formato: | Artigo |
| Idioma: | Inglês |
| Publicado em: |
Sociedad Mexicana de Física A.C.
2007
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| Assuntos: | |
| Acesso em linha: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=57036163030 |
| Tags: |
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