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Fundamental electronic transition of InGaN cubic quantum wells

In this work we calculate the transition energy from the first level of holes to the first level of electrons (1h−1e)for cubic InxGa1−xN/InyGa1−yN quantum wells. We employ the empirical tight binding approach with an sp3 s ∗ orbital basis, nearest neighbors interactions and the spin-orbit coupling,...

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Detalhes bibliográficos
Publicado no:Revista Mexicana de Física
Main Authors: D.A. Contreras-Solorio, J. Madrigal-Melchor, H. Hernández-Cocoletzi, J. Arriaga
Formato: Artigo
Idioma:Inglês
Publicado em: Sociedad Mexicana de Física A.C. 2007
Assuntos:
Acesso em linha:https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=57036163030
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