Načítá se...
Chemical sensitivity of Mo gate MOS capacitors
Mo gate MOS capacitors exhibit a negative shift of their C–V characteristic by up to 240 mV, at 125°C, in response to 1000 ppm hydrogen, in controlled nitrogen atmospheres. The experimental methods for obtaining capacitance and conductance, as a function of polarisation voltage, as well as the relev...
Uloženo v:
| Vydáno v: | Revista Mexicana de Física |
|---|---|
| Hlavní autoři: | , , |
| Médium: | Artigo |
| Jazyk: | Inglês |
| Vydáno: |
Sociedad Mexicana de Física A.C.
2006
|
| Témata: | |
| On-line přístup: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=57028295003 |
| Tagy: |
Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo otaguje tento záznam!
|