Chemical sensitivity of Mo gate MOS capacitors

Mo gate MOS capacitors exhibit a negative shift of their C–V characteristic by up to 240 mV, at 125°C, in response to 1000 ppm hydrogen, in controlled nitrogen atmospheres. The experimental methods for obtaining capacitance and conductance, as a function of polarisation voltage, as well as the relev...

תיאור מלא

שמור ב:
מידע ביבליוגרפי
הוצא לאור ב:Revista Mexicana de Física
Main Authors: R.M. Lombardi, R. Aragón, CINSO– CONICET–CITEFA
פורמט: Artigo
שפה:Inglês
יצא לאור: Sociedad Mexicana de Física A.C. 2006
נושאים:
Física, Astronomía y Matemáticas
Mo gate
MOS device
hydrogen sensitivity
גישה מקוונת:https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=57028295003
תגים: הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!

פריטים דומים