Microwave noise sources contributions to SiGe:C/Si and InP/InGaAs HBT’s performances

The present work describes the quantification of the noise sources contributions to the microwave transistor noise performance, particularly focusing on the minimum noise factor (Fmin) and on the equivalent noise resistance (Rn). For this analysis microwave noise small-signal modeling is used. This...

وصف كامل

التفاصيل البيبلوغرافية

الحاوية / القاعدة:	Revista Mexicana de Física
المؤلفون الرئيسيون:	A. Pacheco-Sánchez, E. Ramírez-García, L. Rodríguez-Méndez, M. Galaz-Larios, C. Márquez-Beltrán, M. Enciso-Aguilar
التنسيق:	Artigo
اللغة:	Inglês
منشور في:	Sociedad Mexicana de Física A.C. 2013
الموضوعات:	Física, Astronomía y Matemáticas
الوصول للمادة أونلاين:	https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=57025666010
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!