Microwave noise sources contributions to SiGe:C/Si and InP/InGaAs HBT’s performances

The present work describes the quantification of the noise sources contributions to the microwave transistor noise performance, particularly focusing on the minimum noise factor (Fmin) and on the equivalent noise resistance (Rn). For this analysis microwave noise small-signal modeling is used. This...

সম্পূর্ণ বিবরণ

সংরক্ষণ করুন:
গ্রন্থ-পঞ্জীর বিবরন
প্রকাশিত:Revista Mexicana de Física
প্রধান লেখক: A. Pacheco-Sánchez, E. Ramírez-García, L. Rodríguez-Méndez, M. Galaz-Larios, C. Márquez-Beltrán, M. Enciso-Aguilar
বিন্যাস: Artigo
ভাষা:Inglês
প্রকাশিত: Sociedad Mexicana de Física A.C. 2013
বিষয়গুলি:
Física, Astronomía y Matemáticas
small
microwave noise
Emitter resistance
signal noise modeling
heterojunction bipolar transistor
অনলাইন ব্যবহার করুন:https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=57025666010
ট্যাগগুলো: ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!

অনুরূপ উপাদানগুলি