Adsorción e incorporación de Cu en la superficie GaN(0001)
En este trabajo reportamos cálculos de primeros principios para analizar la adsorción e incorporación de átomos de cobre en la superficie GaN(0001) y en las capas más profundas de un slab de GaN, en una geometría 2£2. Se utiliza el método del seudopotencial-ondas planas dentro del marco de la teoría...
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| Publicat a: | Revista Mexicana de Física |
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| Autors principals: | , , |
| Format: | Artigo |
| Idioma: | Espanhol |
| Publicat: |
Sociedad Mexicana de Física A.C.
2012
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| Accés en línia: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=57025091004 |
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