Adsorción e incorporación de Cu en la superficie GaN(0001)
En este trabajo reportamos cálculos de primeros principios para analizar la adsorción e incorporación de átomos de cobre en la superficie GaN(0001) y en las capas más profundas de un slab de GaN, en una geometría 2£2. Se utiliza el método del seudopotencial-ondas planas dentro del marco de la teoría...
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| Publicado no: | Revista Mexicana de Física |
|---|---|
| Principais autores: | , , |
| Formato: | Artigo |
| Idioma: | Espanhol |
| Publicado em: |
Sociedad Mexicana de Física A.C.
2012
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| Assuntos: | |
| Acesso em linha: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=57025091004 |
| Tags: |
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