Surface Morphology Analysis of GaInAsSb Films Grown by Liquid Phase Epitaxy

We studied growth mechanisms in semiconducting Ga1¡xInxAsySb1¡y films grown by liquid phase epitaxyon (100) GaSb:Te (1017 cm¡3) substrates at 600 ° C solution-substrate temperature. Atomic Force Microscopy(AFM) images of these films show step-like corrugations, undulations, grooves, and terraces. Th...

Täydet tiedot

Tallennettuna:
Bibliografiset tiedot
Julkaisussa:Brazilian Journal of Physics
Päätekijät: J. G. Ramírez, L. Tirado-Mejía, H. Ariza-Calderón, M. E. Gómez
Aineistotyyppi: Artigo
Kieli:Inglês
Julkaistu: Sociedade Brasileira de Física 2006
Aiheet:
Física, Astronomía y Matemáticas
Surface structure
Liquid phase epitaxy
Quaternary semiconductors
Linkit:https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=46436572
Tagit: Lisää tagi
Ei tageja, Lisää ensimmäinen tagi!

Samankaltaisia teoksia