Surface Morphology Analysis of GaInAsSb Films Grown by Liquid Phase Epitaxy
We studied growth mechanisms in semiconducting Ga1¡xInxAsySb1¡y films grown by liquid phase epitaxyon (100) GaSb:Te (1017 cm¡3) substrates at 600 ° C solution-substrate temperature. Atomic Force Microscopy(AFM) images of these films show step-like corrugations, undulations, grooves, and terraces. Th...
சேமிக்கப்பட்டது:
| இதில் வெளியிடப்பட்டது: | Brazilian Journal of Physics |
|---|---|
| முதன்மை ஆசிரியர்கள்: | , , , |
| வடிவம்: | Artigo |
| மொழி: | Inglês |
| வெளியிடப்பட்டது: |
Sociedade Brasileira de Física
2006
|
| பொருள்கள்: | |
| ஆன்லைன் அணுகல்: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=46436572 |
| குறிச்சொற்கள்: |
டாக்ஸ் இல்லை, இந்த பதிவுக்கு குறிச்சொல் சேர்க்கும் முதல் நபராக இருங்கள்!
|