Monte Carlo simulation of epitaxial growth of GaInAsSb films
Material engineering finds an important support on simulation m ethods. The study of semiconductors growth techniques through s imulation allows the determination of the influence of some growth parame ters on the film properties. Experimentally, the variations of these parameters are difficult due...
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| Publicado no: | Dyna |
|---|---|
| Principais autores: | , , |
| Formato: | Artigo |
| Idioma: | Inglês |
| Publicado em: |
Universidad Nacional de Colombia
2014
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| Assuntos: | |
| Acesso em linha: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=49632363024 |
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