Characterization of highly doped Ga 0.86 In 0.14 As 0.13 Sb0.87 grown by liquid phase epitaxy
Ga 0 . 86 In 0 . 14 As 0 . 13 Sb 0 . 87 layers lattice-matched to (100) Te-GaSb have been grown using the liquid phase epitaxy technique under super- cooling conditions. N and p type layers were grown by adding tellurium or zinc in a wide range of molar fraction in the growth solution. By Raman spec...
সংরক্ষণ করুন:
| প্রকাশিত: | Revista Mexicana de Física |
|---|---|
| প্রধান লেখক: | , , , , , |
| বিন্যাস: | Artigo |
| ভাষা: | Inglês |
| প্রকাশিত: |
Sociedad Mexicana de Física A.C.
2017
|
| বিষয়গুলি: | |
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=57050469009 |
| ট্যাগগুলো: |
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|