Characterization of highly doped Ga 0.86 In 0.14 As 0.13 Sb0.87 grown by liquid phase epitaxy

Ga 0 . 86 In 0 . 14 As 0 . 13 Sb 0 . 87 layers lattice-matched to (100) Te-GaSb have been grown using the liquid phase epitaxy technique under super- cooling conditions. N and p type layers were grown by adding tellurium or zinc in a wide range of molar fraction in the growth solution. By Raman spec...

Ամբողջական նկարագրություն

Մատենագիտական մանրամասներ

Հրատարակված է:	Revista Mexicana de Física
Հիմնական հեղինակներ:	J. Díaz-Reyes, M. Galván-Arellano, J.G. Mendoza-Alvarez, J.S. Arias-Cerón, J.L. Herrera-Pérez, E. López-Cruz
Ձևաչափ:	Artigo
Լեզու:	Inglês
Հրապարակվել է:	Sociedad Mexicana de Física A.C. 2017
Խորագրեր:	Física, Astronomía y Matemáticas
Առցանց հասանելիություն:	https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=57050469009
Ցուցիչներ:	Ավելացրեք ցուցիչ Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!