SnO2 Extended Gate Field-Effect Transistor as pH Sensor

Extended gate field-effect transistor (EGFET) is a device composed of a conventional ion-sensitive electrodeand a MOSFET device, which can be applied to the measurement of ion content in a solution. This structurehas a lot of advantages as compared to the Ion- Sensitive Field Effect Transistor (ISFE...

সম্পূর্ণ বিবরণ

সংরক্ষণ করুন:
গ্রন্থ-পঞ্জীর বিবরন
প্রকাশিত:Brazilian Journal of Physics
প্রধান লেখক: P. D. Batista, C. F. de O. Graeff, F. J. R. Fernandez, F. das C. Marques, M. Mulato
বিন্যাস: Artigo
ভাষা:Inglês
প্রকাশিত: Sociedade Brasileira de Física 2006
বিষয়গুলি:
Física, Astronomía y Matemáticas
SnO2
pH sensor
effect transistor
Extended gate field
অনলাইন ব্যবহার করুন:https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=46436366
ট্যাগগুলো: ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!

অনুরূপ উপাদানগুলি