SnO2 Extended Gate Field-Effect Transistor as pH Sensor

Extended gate field-effect transistor (EGFET) is a device composed of a conventional ion-sensitive electrodeand a MOSFET device, which can be applied to the measurement of ion content in a solution. This structurehas a lot of advantages as compared to the Ion- Sensitive Field Effect Transistor (ISFE...

Полное описание

Библиографические подробности

Опубликовано в::	Brazilian Journal of Physics
Главные авторы:	P. D. Batista, C. F. de O. Graeff, F. J. R. Fernandez, F. das C. Marques, M. Mulato
Формат:	Artigo
Язык:	Inglês
Опубликовано:	Sociedade Brasileira de Física 2006
Предметы:	Física, Astronomía y Matemáticas
Online-ссылка:	https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=46436366
Метки:	Добавить метку Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!