Spin-Dependent Conductance in Nonmagnetic InGaAs Asymmetric Double Barrier Devices

The spin dependence of the conductance of an asymmetric double-barrier InGaAs device is studied within themultiband k¢p and envelope function approximations. The spin-dependent transmission probability for electronsacross the structure is obtained using transfer matrices and the low bias conductance...

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Detalhes bibliográficos

Publicado no:	Brazilian Journal of Physics
Principais autores:	C. Moyses Araujo, A. Silva Ferreira da, C. Persson, R. Ahuja, E. A. Silva de Andrada e
Formato:	Artigo
Idioma:	Inglês
Publicado em:	Sociedade Brasileira de Física 2004
Assuntos:	Física, Astronomía y Matemáticas
Acesso em linha:	https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=46434425
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