Načítá se...

Ab Initio Calculation of the (100) and (110) Surface Phonon Dispersion of GaAs and GaN

In this work, we have calculated ab initio the phonon dynamics of the Ga-rich GaAs (100) (1 £ 1), GaAs (100)(2 £ 1), GaN (100) (1 £ 1), GaAs (110) and GaN (110) surfaces. Our results for the (100) surfaces showthat, while the (2 £ 1) reconstruction is characterized by dimer vibrations, the (1 £ 1) r...

Celý popis

Uloženo v:
Podrobná bibliografie
Vydáno v:Brazilian Journal of Physics
Hlavní autoři: A. M. Santos, J. L. A. Alves, J. R. Leite, H. W. Alves Leite, L. M. R. Scolfaro
Médium: Artigo
Jazyk:Inglês
Vydáno: Sociedade Brasileira de Física 2004
Témata:
On-line přístup:https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=46434420
Tagy: Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo otaguje tento záznam!