Effect of non-abrupt doping and interfacial profiles on the carrier sheet density in one-side modulation-doped GaN/AlGaN quantum wells

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Detalhes bibliográficos

Publicado no:	Brazilian Journal of Physics
Principais autores:	B. G. Enders, F. M. S. Lima, A. L. A. Fonseca, O. A. C. Nunes, E. F. da Silva Jr
Formato:	Artigo
Idioma:	Inglês
Publicado em:	Sociedade Brasileira de Física 2009
Assuntos:	Física, Astronomía y Matemáticas
Acesso em linha:	https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=46413556023
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