Цитаты записи:
Цитирование APA (7-е изд.)
Enders, B. G., Lima, F. M. S., Fonseca, A. L. A., Nunes, O. A. C., & Jr, E. F. d. S. (2009). Effect of non-abrupt doping and interfacial profiles on the carrier sheet density in one-side modulation-doped GaN/AlGaN quantum wells. Brazilian Journal of Physics.
Успешно скопировано в буфер обмена
Ошибка копирования в буфер обмена
Цитирование в стиле Чикаго (17-е изд.)
Enders, B. G., F. M. S. Lima, A. L. A. Fonseca, O. A. C. Nunes, и E. F. da Silva Jr. "Effect of Non-abrupt Doping and Interfacial Profiles on the Carrier Sheet Density in One-side Modulation-doped GaN/AlGaN Quantum Wells."
Brazilian Journal of Physics 2009.
Успешно скопировано в буфер обмена
Ошибка копирования в буфер обмена
Цитирование MLA (9-е изд.)
Enders, B. G., et al. "Effect of Non-abrupt Doping and Interfacial Profiles on the Carrier Sheet Density in One-side Modulation-doped GaN/AlGaN Quantum Wells."
Brazilian Journal of Physics, 2009.
Успешно скопировано в буфер обмена
Ошибка копирования в буфер обмена
Предупреждение: эти цитированмия не могут быть всегда правильны на 100%.