Unidirectional Operation of p-GaN Gate AlGaN/GaN Heterojunction FET Using Rectifying Drain Electrode

In this study, we proposed a rectifying drain electrode that was embedded in a p-GaN gate AlGaN/GaN heterojunction field-effect transistor to achieve the unidirectional switching characteristics, without the need for a separate reverse blocking device or an additional process step. The rectifying dr...

وصف كامل

التفاصيل البيبلوغرافية

المؤلفون الرئيسيون:	Tae-Hyeon Kim, Won-Ho Jang, Jun-Hyeok Yim, Ho-Young Cha
التنسيق:	Artigo
اللغة:	Inglês
منشور في:	MDPI AG 2021-03-01
سلاسل:	Micromachines
الموضوعات:	AlGaN/GaN heterojunction p-GaN gate unidirectional operation rectifying electrode
الوصول للمادة أونلاين:	https://www.mdpi.com/2072-666X/12/3/291
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!